8英寸时代:国产碳化硅衬底如何升级?

2023.10.27 2023.10.27
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当下,新能源汽车、5G通讯、光伏、储能等下游领域迸射出的强烈需求,正驱动着碳化硅(SiC)产业在高速发展,与此同时多方纷纷加强研发力度,旨在突破技术壁垒,抢占市场先机。

其中,作为碳化硅突破瓶颈的重要工艺节点,8英寸SiC衬底成为各方抢攻的黄金赛道。

下一个拐点尺寸:8英寸SiC衬底

作为第三代半导体代表材料之一,碳化硅具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率等性能优势,在高温、高压、高频领域表现优异,已成为半导体材料技术领域的主要发展方向之一。

随着下游需求的带动,碳化硅正处于高速增长期,据TrendForce集邦咨询分析2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元,年成长41.4%,并预估至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元。

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