8英寸时代:国产碳化硅衬底如何升级?

2023.10.27 2023.10.27
788 788

当下,新能源汽车、5G通讯、光伏、储能等下游领域迸射出的强烈需求,正驱动着碳化硅(SiC)产业在高速发展,与此同时多方纷纷加强研发力度,旨在突破技术壁垒,抢占市场先机。

其中,作为碳化硅突破瓶颈的重要工艺节点,8英寸SiC衬底成为各方抢攻的黄金赛道。

下一个拐点尺寸:8英寸SiC衬底

作为第三代半导体代表材料之一,碳化硅具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率等性能优势,在高温、高压、高频领域表现优异,已成为半导体材料技术领域的主要发展方向之一。

随着下游需求的带动,碳化硅正处于高速增长期,据TrendForce集邦咨询分析2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元,年成长41.4%,并预估至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元。

相关新闻
  • 距离碳化硅全面进入家电市场,还有多远?
    距离碳化硅全面进入家电市场,还有多远?
  • 从慕尼黑电子展看第三代半导体在新能源产业的技术趋势及应用展望
    从慕尼黑电子展看第三代半导体在新能源产业的技术趋势及应用展望
  • SEMICON China 2025 观展手记:技术创新推动行业发展
    SEMICON China 2025 观展手记:技术创新推动行业发展

SEMICON China 2025 观展手记:技术创新推动行业发展

上一篇

存储芯片上涨之风刚起!存储大厂最新业绩超出预期

下一篇
我们期待为您服务

请直接联系我们,您的信任,我们的坚持与执着!

立即咨询